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　　中信证券询查 文|徐涛  王子源

　　好意思国商务部于2024年12月2日更新了半导体出口管束政策和实体清单，主要针对中国大陆半导体企业。本次制裁仍然是主要围绕先进制程的“小院高墙”式策略，意在卡住中国先进半导体发展进度，关联内容与此前媒体报谈内容离别不大，阛阓已有所预期，由于关联企业已有提前准备，咱们以为短期本体影响有限，长久而言则需烧毁幻念念，自立自立，有望进一步加快全产业链国产化进度。

　　▍好意思国更新出口管束法例并新增实体清单，对准中国大陆半导体畛域。

　　2024年12月2日北京时分晚间，好意思国工业和安全局（BIS）发布了《出口治理条例（EAR）》的矫正讲明，矫正半导体关联的出口管束法例，同期将 140个中国实体列入“实体清单”。中枢内容包括但不限于：1）实体清单新增140家公司，并修改对部分企业（标注“脚注5” 的企业）供应含好意思时候异邦居品的截止要求，以及从考证最终用户 （VEU） “白名单”操办中删除3家中国企业；2）针对高带宽内存（HBM）加多新的管束措施（加多新的3A090.c编码）；3）推广了部分半导体制造拓荒和关联物品的管束品类，适用于异邦径直居品法例。

　　▍针对实体清单企业和白名单的更新主要包含三部分。 

　　1）新增140家实体清单公司，主要为国产半导体制造、拓荒厂商，也触及EDA、投资公司。本次新增实体清单的公司包括半导体拓荒厂商朔方华创、拓荆科技、盛好意思上海、至纯科技、中科飞测、新凯来、凯世通、华峰测控、烁科中科信、华海清科、芯源微、北京屹唐、东方晶源、上海睿励等半导体拓荒厂商及部分子公司；半导体制造商青岛芯恩、昇维旭、鹏新旭、武汉新芯等；EDA厂商华大九天过甚子公司；半导体材料厂商南大光电过甚子公司、上海新昇（沪硅产业旗下）、珠海基石、至纯精密气体等；半导体国际并购关联的建广钞票、智路成本、闻泰科技（维权）等。实体清单内企业在购买好意思国时候含量25%以上居品时受到截止。

　　2）对14家实体清单中的晶圆厂及研发中心加多了“脚注5”截止，更严格截止含好意思时候居品的采购。BIS针对14家照旧被列入实体清单或新列入的晶圆厂和研发中心加多了“脚注5”，包括福建晋华、中芯北京、中芯国际、中芯朔方、鹏芯微、ICRD、中芯南边、武汉新芯、青岛芯恩、中科院微电子所、上海集成电路装备材料产业转换中心、张江本质室、朔方集成电路时候转换中心、中芯国际集成电路新时候研发公司等，BIS截止接管好意思国时候的公司（包括好意思系和非好意思系）向这些中国公司出口任何含有好意思国时候的居品。此外BIS对中芯国际的许可（金麒麟分析师）批准政策也作念了矫正。

　　3）3家半导体公司被移除VEU清单。BIS将三家中国半导体公司从VEU（授权考证最终用户）“白名单”清单移除，分裂为中微公司、华虹半导体和华润微，VEU公司无需从 BIS 赢得出口、再出口或转让（国内）许可证，当今被移除后，购买受管束的商品、软件和/或时候均需要通过BIS审查。 

　　▍HBM和先进DRAM的截止加码，新增截止HBM的时候参数，主流HBM居品受管束。

　　1）新增HBM管束物项编码：针对HBM加多了3A090.c管束物项编码，存储带宽密度逾越每闲居毫米2GB/s即受到管束，BIS暗示刻下系数量产中的HBM均受限；3A090.c主要针对寂寞HBM，而关于HBM与逻辑合封的居品，则主要聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度是否受限（阐述3A090.a/3A090.b）；此外，关于好意思国或盟友企业在中国工场封装等情形，成就了许可例外条目，当沸腾HBM内存带宽密度小于3.3GB/s/mm²等一系列条目时，可苦求许可证例外授权，对居品去处仍有严格管控。

　　2）修改先进DRAM界说：在截止半导体拓荒时，将先进DRAM的时候规范从“18 纳米半间距或更小”修正为当 DRAM集成电路的存储单元面积小于0.0019μm²或存储密度大于 0.288Gbit/mm²时，该集成电路即妥当 “先进节点集成电路 （Advanced-Node IC） ”，从而截止3D DRAM等时候，达到这一水平的国内DRAM存储厂采购含好意思时候拓荒需要许可证。

　　▍矫正“交易管束清单CCL”，新增8类高端拓荒管束。

　　BIS在管束清单中新增8种品类（ECCN 3B001），后续此类拓荒的采购均需要许可要求或推定停止，主要包括：用于封装含硅通孔（TSV）芯片（如 HBM 芯片）的刻蚀拓荒；用于在先进集成电路的金属线之间千里积低介电材料的拓荒；用于先进存储器集成电路中低电阻率金属（钼和钌）的千里积拓荒；用于先进 DRAM中绝缘体千里积的拓荒；部分用先进节点钨千里积的物理千里积拓荒；巧合用于先进节点集成电路分娩的纳米压印光刻拓荒（套刻精度小于 1.5nm）；用于先进制程的高端单片清洗拓荒（如超临界清洗）；适度用于改善EUV光刻举座图形的千里积或刻蚀拓荒等。同期，7种商品从原 ECCN 3B001 移入新的 ECCN 3B993，不再需要许可要求或推定停止，原因是这些商品与制程节点无关，并已在非先进节点制造专揽中得到平庸使用。

　　▍风险身分：

　　宇宙宏不雅经济低迷风险，下流需求不足预期，国际产业环境变化和贸易摩擦加重风险，国产化鼓吹不足预期，汇率大幅波动，好意思国制裁加重，日荷等好意思国盟友收紧半导体政策等。

　　▍投资策略：

　　本次制裁内容与此前媒体报谈内容离别不大，阛阓已有所预期，由于关联企业已有准备，照旧提前进行了长久囤货和去好意思供应链切换，咱们以为短期本体影响有限，对企业业务荟萃性不组成显贵影响，长久而言则需烧毁幻念念，自立自立，有望进一步加快全产业链国产化进度。 

　　1）半导体零部件企业国产替代进一步加快。制裁走进取游，提倡神志零部件国产替代契机。 

　　2）拓荒企业国产化趋势明确，刻下最应神志具备先进制程、平台化、细分国产化率低的公司。

　　3）先进封装在AI芯片畛域施展作用增强，在2.5D/3D/HBM关联地点有握续时候迭代空间。提倡神志国内布局先进封装的厂商。 

　　4）晶圆厂动作半导体先进国产替代中枢理谋钞票地位强化。

　　本文节选自中信证券询查部已于当日发布的《晨会》论述，具体分析内容（包括关联风险教导等）请详见论述。若因对论述的摘编而产生歧义，应以论述发布当日的齐全内容为准。

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