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中信证券:好意思国对华半导体制裁更新,倒逼全产业链国产化加快


发布日期:2025-01-28 08:40    点击次数:112


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  中信证券询查 文|徐涛  王子源

  好意思国商务部于2024年12月2日更新了半导体出口管束政策和实体清单,主要针对中国大陆半导体企业。本次制裁仍然是主要围绕先进制程的“小院高墙”式策略,意在卡住中国先进半导体发展进度,关联内容与此前媒体报谈内容离别不大,阛阓已有所预期,由于关联企业已有提前准备,咱们以为短期本体影响有限,长久而言则需烧毁幻念念,自立自立,有望进一步加快全产业链国产化进度。

  ▍好意思国更新出口管束法例并新增实体清单,对准中国大陆半导体畛域。

  2024年12月2日北京时分晚间,好意思国工业和安全局(BIS)发布了《出口治理条例(EAR)》的矫正讲明,矫正半导体关联的出口管束法例,同期将 140个中国实体列入“实体清单”。中枢内容包括但不限于:1)实体清单新增140家公司,并修改对部分企业(标注“脚注5” 的企业)供应含好意思时候异邦居品的截止要求,以及从考证最终用户 (VEU) “白名单”操办中删除3家中国企业;2)针对高带宽内存(HBM)加多新的管束措施(加多新的3A090.c编码);3)推广了部分半导体制造拓荒和关联物品的管束品类,适用于异邦径直居品法例。

  ▍针对实体清单企业和白名单的更新主要包含三部分。 

  1)新增140家实体清单公司,主要为国产半导体制造、拓荒厂商,也触及EDA、投资公司。本次新增实体清单的公司包括半导体拓荒厂商朔方华创、拓荆科技、盛好意思上海、至纯科技、中科飞测、新凯来、凯世通、华峰测控、烁科中科信、华海清科、芯源微、北京屹唐、东方晶源、上海睿励等半导体拓荒厂商及部分子公司;半导体制造商青岛芯恩、昇维旭、鹏新旭、武汉新芯等;EDA厂商华大九天过甚子公司;半导体材料厂商南大光电过甚子公司、上海新昇(沪硅产业旗下)、珠海基石、至纯精密气体等;半导体国际并购关联的建广钞票、智路成本、闻泰科技(维权)等。实体清单内企业在购买好意思国时候含量25%以上居品时受到截止。

  2)对14家实体清单中的晶圆厂及研发中心加多了“脚注5”截止,更严格截止含好意思时候居品的采购。BIS针对14家照旧被列入实体清单或新列入的晶圆厂和研发中心加多了“脚注5”,包括福建晋华、中芯北京、中芯国际、中芯朔方、鹏芯微、ICRD、中芯南边、武汉新芯、青岛芯恩、中科院微电子所、上海集成电路装备材料产业转换中心、张江本质室、朔方集成电路时候转换中心、中芯国际集成电路新时候研发公司等,BIS截止接管好意思国时候的公司(包括好意思系和非好意思系)向这些中国公司出口任何含有好意思国时候的居品。此外BIS对中芯国际的许可(金麒麟分析师)批准政策也作念了矫正。

  3)3家半导体公司被移除VEU清单。BIS将三家中国半导体公司从VEU(授权考证最终用户)“白名单”清单移除,分裂为中微公司、华虹半导体和华润微,VEU公司无需从 BIS 赢得出口、再出口或转让(国内)许可证,当今被移除后,购买受管束的商品、软件和/或时候均需要通过BIS审查。 

  ▍HBM和先进DRAM的截止加码,新增截止HBM的时候参数,主流HBM居品受管束。

  1)新增HBM管束物项编码:针对HBM加多了3A090.c管束物项编码,存储带宽密度逾越每闲居毫米2GB/s即受到管束,BIS暗示刻下系数量产中的HBM均受限;3A090.c主要针对寂寞HBM,而关于HBM与逻辑合封的居品,则主要聚焦算力芯片部分,看TPP和性能密度是否受限(阐述3A090.a/3A090.b);此外,关于好意思国或盟友企业在中国工场封装等情形,成就了许可例外条目,当沸腾HBM内存带宽密度小于3.3GB/s/mm²等一系列条目时,可苦求许可证例外授权,对居品去处仍有严格管控。

  2)修改先进DRAM界说:在截止半导体拓荒时,将先进DRAM的时候规范从“18 纳米半间距或更小”修正为当 DRAM集成电路的存储单元面积小于0.0019μm²或存储密度大于 0.288Gbit/mm²时,该集成电路即妥当 “先进节点集成电路 (Advanced-Node IC) ”,从而截止3D DRAM等时候,达到这一水平的国内DRAM存储厂采购含好意思时候拓荒需要许可证。

  ▍矫正“交易管束清单CCL”,新增8类高端拓荒管束。

  BIS在管束清单中新增8种品类(ECCN 3B001),后续此类拓荒的采购均需要许可要求或推定停止,主要包括:用于封装含硅通孔(TSV)芯片(如 HBM 芯片)的刻蚀拓荒;用于在先进集成电路的金属线之间千里积低介电材料的拓荒;用于先进存储器集成电路中低电阻率金属(钼和钌)的千里积拓荒;用于先进 DRAM中绝缘体千里积的拓荒;部分用先进节点钨千里积的物理千里积拓荒;巧合用于先进节点集成电路分娩的纳米压印光刻拓荒(套刻精度小于 1.5nm);用于先进制程的高端单片清洗拓荒(如超临界清洗);适度用于改善EUV光刻举座图形的千里积或刻蚀拓荒等。同期,7种商品从原 ECCN 3B001 移入新的 ECCN 3B993,不再需要许可要求或推定停止,原因是这些商品与制程节点无关,并已在非先进节点制造专揽中得到平庸使用。

  ▍风险身分:

  宇宙宏不雅经济低迷风险,下流需求不足预期,国际产业环境变化和贸易摩擦加重风险,国产化鼓吹不足预期,汇率大幅波动,好意思国制裁加重,日荷等好意思国盟友收紧半导体政策等。

  ▍投资策略:

  本次制裁内容与此前媒体报谈内容离别不大,阛阓已有所预期,由于关联企业已有准备,照旧提前进行了长久囤货和去好意思供应链切换,咱们以为短期本体影响有限,对企业业务荟萃性不组成显贵影响,长久而言则需烧毁幻念念,自立自立,有望进一步加快全产业链国产化进度。 

  1)半导体零部件企业国产替代进一步加快。制裁走进取游,提倡神志零部件国产替代契机。 

  2)拓荒企业国产化趋势明确,刻下最应神志具备先进制程、平台化、细分国产化率低的公司。

  3)先进封装在AI芯片畛域施展作用增强,在2.5D/3D/HBM关联地点有握续时候迭代空间。提倡神志国内布局先进封装的厂商。 

  4)晶圆厂动作半导体先进国产替代中枢理谋钞票地位强化。

  本文节选自中信证券询查部已于当日发布的《晨会》论述,具体分析内容(包括关联风险教导等)请详见论述。若因对论述的摘编而产生歧义,应以论述发布当日的齐全内容为准。

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